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400-888-2720创见内存模组采用顶级颗粒与组件所制而成，通过缜密的实验室测试，以确保其优异效能。
| 容量 | DRAM | 创见型号 | 描述 |
| 4GB | 512Mx8 | TS512MSK64W8H | 4GB DDR3L 1866 SO-DIMM 1Rx8 |
| 8GB | 512Mx8 | TS1GSK64W8H | 8GB DDR3L 1866 SO-DIMM 2Rx8 |
| 内存模块 | |
| RAM种类 | DDR3L |
| DIMM种类 | SO-DIMM |
| 频率 | 1866 |
| 时序 | CL13 |
| 容量 | 4 GB/ 8 GB |
| Rank | 2Rx8/ 1Rx8 |
| DRAM | 512Mx8 |
| 电压 | 1.35V |
| 电路板高度 | 1.18 吋 |
| Pin | 204 pin |
| 备注 | 产品外观因型号不同而有所差异，图片仅供参考，请以实际产品为准。 |
深圳市福田区彩田路彩虹大厦30层
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19168537781 / 400-888-2720
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